港大創新鑽石薄膜技術 低成本高效推動半導體進步
近年香港積極發展第三代半導體，也就是所謂功率半導體，功率半導體之中以碳化矽 (SiC)最為重要，原因是SiC是高效能、寬能隙（WBG）材料，具有高耐壓、耐高溫、低開關損耗與高功率密度特性。 相比傳統 …
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理大柴揚教授創新技術獲獎
香港理工大學（理大）理學院副院長（研究）及半導體物理學講座教授柴揚教授，憑藉其創新性感算融合技術（Sensor-Compute Integration，感算融合），榮獲2026年「裘槎優秀科研者獎」。 …
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